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高频光电导少子寿命测试仪
用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形*严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶，的重要检测项目。
2、 设备组成
2.1、光脉冲发生装置
重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ
红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：5A～20A
如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.2、高频源
频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W
2.3、放大器和检波器
频率响应：2Hz～2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。
3、测量范围
LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命值的测量范围：5～6000μｓ